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HSCB0010E
N沟道快速开关MOSFET，采用先进SGT MOS技术，低导通电阻，超低栅极电荷，具备ESD保护
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSCB0010E
- 商品编号
- C53243993
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 336pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |
商品特性
- 先进的SGT MOS技术
- 100% EAS保证
- 提供绿色器件选项
- 低导通电阻
- 超低栅极电荷
- 具备ESD保护
应用领域
- 便携式设备
- 电池供电系统
- 硬开关与高速电路