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HSM6105
P沟道快速开关MOSFET，具备超低栅极电荷和先进的高单元密度沟槽技术
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM6105
- 商品编号
- C53243995
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.82nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 138pF |
商品概述
HSM6105 是一款高元胞密度槽栅 P 沟道 MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供了优异的 RDSON 和栅极电荷性能。该产品符合 RoHS 和绿色产品要求，100% EAS 保证，并通过了全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100% EAS 保证
- 提供绿色器件
- 优异的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高元胞密度槽栅技术