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HSBG2301
P沟道快速开关MOSFET，具备超低栅极电荷、低阈值、高端开关功能及先进高单元密度沟槽技术
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBG2301
- 商品编号
- C53243979
- 商品封装
- DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 270mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 550mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 248pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
HSBG2301 是一款采用高单元密度沟槽工艺的 P 沟道 MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供了优异的导通电阻和栅极电荷性能。该产品符合 RoHS 和无卤环保产品要求，并通过了全面的功能可靠性验证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 低阈值电压
- 适用于高端开关应用
- 采用先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 同步降压转换器