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HSSN2301
P沟道快速开关MOSFET，具备高单元密度沟槽技术，适用于小功率开关和负载开关应用
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSSN2301
- 商品编号
- C53243981
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 577pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 52pF |
商品概述
HSSN2301是采用高单元密度沟槽技术的P沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了优异的导通电阻和效率。该产品符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色器件选项
- 超低栅极电荷
- 优异的Cdv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术