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HSSK2905
N沟道和P沟道快速开关MOSFET，采用先进沟槽技术，具备超低导通电阻，适用于负载开关和PWM应用，具备ESD保护
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSSK2905
- 商品编号
- C53243980
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA；600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 170mW；250mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 输入电容(Ciss) | 140pF；220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF；27pF |
商品概述
HSSK2905采用先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻、低栅极电荷和高密度单元设计，以实现超低导通电阻。该器件适用于负载开关或脉宽调制应用，并具备静电放电保护。
应用领域
- 脉宽调制应用
- 负载开关