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HSBG3132
N沟道快速开关MOSFET，适用于小功率开关和负载开关应用，具备ESD保护栅极和低栅极阈值电压
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBG3132
- 商品编号
- C53243977
- 商品封装
- DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 16pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12pF |
商品概述
HSBG3132是一款高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的导通电阻和效率。该产品符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 小型单开关
- 负载开关
- ESD保护栅极
- 低栅极阈值电压