STTH120L06TV1-HXY

STTH120L06TV1-HXY

描述

该碳化硅二极管的正向电流（IF）为250A，反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，反向漏电流（IR）仅为100μA。器件可承受高达600A的非重复浪涌正向电流（IFSM），具备出色的瞬态电流耐受能力。其低导通压降与极小的反向漏电特性，结合碳化硅材料的高热导率和高频性能，适用于对效率、散热及动态响应要求较高的电力电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STTH120L06TV1-HXY

商品编号

C53133703

商品封装

SOT-227​

包装方式

管装

商品毛重

40.05克(g)