DCG160X650NA-HXY

DCG160X650NA-HXY

描述

该碳化硅二极管额定正向电流（IF）为250A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，反向漏电流（IR）仅为100μA。器件具备600A的非重复浪涌正向电流能力（IFSM），可在高电流瞬态条件下保持可靠运行。其低导通损耗与优异的高频特性，使其适用于对效率和热性能要求严苛的电源转换及高功率密度应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DCG160X650NA-HXY

商品编号

C53133701

商品封装

SOT-227​

包装方式

管装

商品毛重

40.05克(g)