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TPMN100EPAX实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPMN100EPAX

P沟道增强型MOSFET,适用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理,可靠耐用,有无铅环保器件

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商品型号
TPMN100EPAX
商品编号
C52817267
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.036567克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))95mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.1W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)17.7nC
属性参数值
输入电容(Ciss)637pF
反向传输电容(Crss)53pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)70pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • -60V/-3A
  • 当VGS = -10V时,RDS(ON) = 95mΩ(典型值)
  • 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 130mΩ(典型值)
  • 可靠耐用
  • 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

-DC-DC转换器-负载开关-电源管理

数据手册PDF