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TPSI1403BDL-T1-GE3实物图
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TPSI1403BDL-T1-GE3

P沟道MOSFET,适用于接口开关和负载开关

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商品型号
TPSI1403BDL-T1-GE3
商品编号
C52817297
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))80mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))600mV
栅极电荷量(Qg)5.5nC
属性参数值
输入电容(Ciss)470pF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)105pF
栅极电压(Vgs)±10V

应用领域

-接口切换-便携式设备与电池-负载开关

数据手册PDF