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TPSI7880ADP-T1-GE3
N沟道增强型MOSFET，适用于负载/电源开关、接口和逻辑开关、超便携式电子设备电池管理
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPSI7880ADP-T1-GE3
- 商品编号
- C52817301
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1315克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 660pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
应用领域
- 电源/负载开关
- 接口连接、逻辑切换
- 超便携设备的电池管理电子学
- TPSIR158DP-T1-GE3
- TPSTL150N3LLH5
- TPSTM1001MWX6F
- TPSTM1001RWX6F
- TPSTM1001SWX6F
- TPSTM1001TWX6F
- TPTCM809JENB713
- TPTCM809LVLB713
- TPTCM809MENB713
- TPTCM809MVLB713
- TPTCM809RENB713
- TPTCM809SENB713
- TPTCM809TENB713
- TPTLV803EA26DBZR
- TPTLV803EA29DBZR
- TPTLV803EA30DBZR
- TPTLV803EA43DBZR
- TPTLV809EA26DBZR
- TPTLV809EA29DBZR
- TPTLV809EA30DBZR
- TPTLV809EA43DBZR