立创商城logo
购物车0
TPSI3474DV-T1-GE3实物图
  • TPSI3474DV-T1-GE3商品缩略图
  • TPSI3474DV-T1-GE3商品缩略图
  • TPSI3474DV-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPSI3474DV-T1-GE3

N沟道增强型MOSFET,适用于DC-DC转换器和负载开关,可靠耐用,有环保无铅产品

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
TPSI3474DV-T1-GE3
商品编号
C52817299
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.039克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))87mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.7W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)12nC
属性参数值
输入电容(Ciss)600pF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-
配置-
类型-
输出电容(Coss)60pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 可靠耐用
  • 提供无铅环保器件(符合 RoHS 标准)

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF