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TPNX7002BKMYL
N沟道MOSFET，带ESD保护，支持直接逻辑电平接口
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPNX7002BKMYL
- 商品编号
- C52817291
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.005533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 27pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- VDS = 60V,ID = 0.3A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 2.5Ω
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 2.2Ω
- 静电放电等级:人体模型2000V
应用领域
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器
- TPQN3109M6N
- TPSI1403BDL-T1-GE3
- TPSI1467DH-T1-GE3
- TPSI3474DV-T1-GE3
- TPSI7336ADP-T1-E3
- TPSI7880ADP-T1-GE3
- TPSIR158DP-T1-GE3
- TPSTL150N3LLH5
- TPS3808G30DBVR-TP
- TPS3808G30DRVR-TP
- TPS3809K33DBVR-TP
- TPS3809L30DBVR-TP
- TPSTM1001MWX6F
- TPSTM1001RWX6F
- TPSTM1001SWX6F
- TPSTM1001TWX6F
- TPTCM809JENB713
- TPTCM809LVLB713
- TPTCM809MENB713
- TPTCM809MVLB713
- TPTCM809RENB713