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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPMN30XPAX

P沟道增强型MOSFET,适用于电池组和便携式设备

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商品型号
TPMN30XPAX
商品编号
C52817268
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.026克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))22mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.56W
阈值电压(Vgs(th))1.1V
栅极电荷量(Qg)19.5nC
属性参数值
输入电容(Ciss)1.67nF
反向传输电容(Crss)120pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)220pF
栅极电压(Vgs)±12V

应用领域

-电池组-便携式设备

数据手册PDF