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TPMV100EPAR
带ESD保护的P沟道增强型MOSFET
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPMV100EPAR
- 商品编号
- C52817270
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 637pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- -60V/-2.8A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) = 100mΩ(典型值)
- 典型ESD保护:1500V
应用领域
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 电源管理