温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TPMZ600UNEZ
N沟道增强型MOSFET，适用于负载/电源开关、接口开关、电池管理和逻辑电平转换，具备ESD保护
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPMZ600UNEZ
- 商品编号
- C52817279
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.005733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 45pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20V
- 栅源电压(VGS) = 2.5V时,导通电阻(RDS(ON)) = 300mΩ(典型值)
- 栅源电压(VGS) = 4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) = 250mΩ(典型值)
- 静电放电(ESD)防护能力高达2KV
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换
- TPMZB390UNEYL
- TPMZB670UPE
- TPNTMFS4C05NT1G
- TPNX7002BKMBYL
- TPNX7002BKMYL
- TPQN3109M6N
- TPSI1403BDL-T1-GE3
- TPSI1467DH-T1-GE3
- TPSI3474DV-T1-GE3
- TPSI7336ADP-T1-E3
- TPNCP308MT300TBG
- TPNCP308SN300T1G
- TPNCP803SN263T1G
- TPNCP803SN293T1G
- TPNCP803SN308T1G
- TPNCP803SN400T1G
- TPNCP803SN438T1G
- TPS3808G30DBVR-TP
- TPS3808G30DRVR-TP
- TPS3809K33DBVR-TP
- TPS3809L30DBVR-TP