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TPMZB670UPE
P沟道增强型MOSFET，适用于负载/电源开关、接口开关，低导通电阻，低逻辑电平栅极驱动，ESD保护栅极
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPMZB670UPE
- 商品编号
- C52817281
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.005167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 113pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
- 低导通电阻 (RDS(on)) 的 P 沟道开关
- 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
- 栅极具备静电放电 (ESD) 保护
- 与 TPM2008EP3 互补
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换
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