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IPD60R650CE
耐压:650V 电流:9.9A
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD60R650CE
- 商品编号
- C536836
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V,2.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 82W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@100V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结 (SJ) 原理设计。CoolMOS™ CE 是一个经过性价比优化的平台，能够在满足最高效率标准的同时，瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时不牺牲易用性，并且在市场上拥有最佳的降本性能比。
商品特性
- 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss，损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层，无卤模塑料
- 适用于标准等级应用
应用领域
- 功率因数校正 (PFC) 级、硬开关 PWM 级和谐振开关级，例如用于 PC 主机、适配器、液晶和等离子电视以及室内照明。