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IPD65R380E6实物图
  • IPD65R380E6商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD65R380E6

1个N沟道 耐压:650V 电流:10.6A

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商品型号
IPD65R380E6
商品编号
C536848
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)10.6A
导通电阻(RDS(on))380mΩ@10V,3.2A
耗散功率(Pd)83W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)39nC@10V
输入电容(Ciss)710pF@100V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。CoolMOS E6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。由此产生的器件在不牺牲易用性的同时,具备快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关损耗和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热性能更好。

商品特性

  • 极低的FOM(Rdson*Qg和Eoss)带来极低的损耗
  • 极高的换向鲁棒性
  • 易于使用和驱动
  • 通过JEDEC认证,无铅镀层,采用无卤模塑料

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)级
  • 硬开关PWM级
  • 谐振开关PWM级,例如用于电脑电源、适配器、液晶与等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)

数据手册PDF