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AT2301BSA
中低压P沟道MOSFET
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- 描述
- Advanced trench technology，Vds=-40V ,ID=-2.8A ，125mΩ@-4.5V C232265 AS2301的迭代型号
- 品牌名称
- AnBon(安邦)
- 商品型号
- AT2301BSA
- 商品编号
- C52766324
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 185pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 出色的RDS(ON)
- 低栅极电荷
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源