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HD506N032SG
N沟道MOSFET，采用先进分裂栅沟槽技术，具有高密度单元设计和快速开关速度，适用于功率开关应用
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HD506N032SG
- 商品编号
- C52766425
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.251167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.045nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60V
- 漏极电流(ID) = 100 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 3.2 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 4.3 mΩ
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 开关速度快
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源