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HD303N110DG
双N沟道MOSFET，低栅极电荷和导通电阻，采用先进分裂栅沟槽技术，开关速度快
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HD303N110DG
- 商品编号
- C52766430
- 商品封装
- PDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.187532克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 658pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30V
- 漏极电流(ID) = 18 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 11 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 16 mΩ
- 低栅极电荷和导通电阻
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 快速开关速度
应用领域
- 电信和工业领域的隔离式直流-直流(DC/DC)转换器
- 功率开关应用
- HK04N010SG-B
- HK10N020SG-B
- HK04N013SG
- HK8EN015SG
- HK8EN015SG-C
- HK10N015SG
- HK10N015SG-B
- ZX7-200T
- 14*20cm-1000
- BY-6009 3*m10*1.5
- ZD24C16A-MAGMT
- MLD-TYPE-C-3.1-16PIN-L7.35
- MLD-RJ45-H16
- MLD-SMA-KWE-L14.5
- MLD-SMA-KE-H13.5
- MLD-SMA-KE-H13.5-1.6
- MLD-SMA-KE-H13.5-1.2
- MLD-SMA-KWE11-L17
- MLD-SMA-KWE14-L20
- MLD-SMA-KWE13-L19
- MLD-SMA-KWE17-L23