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HD504N069DG

HD504N069DG

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品牌名称
R+O(宏嘉诚)
商品型号
HD504N069DG
商品编号
C52766431
商品封装
PDFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)92W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
输入电容(Ciss)917pF@20V
反向传输电容(Crss)24pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 40V
  • 漏极电流(ID) = 45 A
  • 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 6.9 mΩ
  • 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 10.5 mΩ
  • 先进的分裂栅沟槽技术
  • 低栅极电荷和导通电阻
  • 快速开关

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 电机控制

数据手册PDF