温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HK8EN015SG-C
N沟道MOSFET，具有低栅极电荷和导通电阻、快速开关速度，采用先进的分裂栅沟槽技术，适用于电源开关、DC-DC转换器和电源管理应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HK8EN015SG-C
- 商品编号
- C52766445
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 4.284286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 390A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 195nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.829nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 812pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- VDS = 85V
- ID = 390A
- RDS(on)@VGS = 10V < 1.2mΩ
- 低栅极电荷和导通电阻
- 快速开关速度
- 先进的分裂栅沟槽技术
应用领域
- 功率开关应用
- DC-DC转换器
- 电源管理
- HK10N015SG
- HK10N015SG-B
- ZX7-200T
- 14*20cm-1000
- BY-6009 3*m10*1.5
- ZD24C16A-MAGMT
- MLD-TYPE-C-3.1-16PIN-L7.35
- MLD-RJ45-H16
- MLD-SMA-KWE-L14.5
- MLD-SMA-KE-H13.5
- MLD-SMA-KE-H13.5-1.6
- MLD-SMA-KE-H13.5-1.2
- MLD-SMA-KWE11-L17
- MLD-SMA-KWE14-L20
- MLD-SMA-KWE13-L19
- MLD-SMA-KWE17-L23
- MLD-BNC50-L35
- MLD-BNC-KYWE-L29.5
- MLD-IPEX1
- MLD-NANO SIM 6P-H1.4
- MLD-NANO SIM 7P-H1.4