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HK8EN050SG-B实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

HK8EN050SG-B

HK8EN050SG-B

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品牌名称
R+O(宏嘉诚)
商品型号
HK8EN050SG-B
商品编号
C52766447
商品封装
TOLL-8​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)160A
导通电阻(RDS(on))3.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)246W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)56nC@10V
输入电容(Ciss)3.457nF@40V
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 漏源电压（VDS） = 85V
  • 漏极电流（ID） = 160A
  • 在栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(on)）＜ 4.6mΩ
  • 低栅极电荷和导通电阻
  • 快速开关速度
  • 先进的分裂栅沟槽技术

应用领域

  • 功率开关应用
  • 直流-直流转换器
  • 电源管理

数据手册PDF

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