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HK10N020SG-B
N沟道MOSFET，低栅极电荷和导通电阻，快速开关速度，采用先进的分裂栅沟槽技术，适用于PWM、硬开关和高频电路及电源管理
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HK10N020SG-B
- 商品编号
- C52766436
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 370W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 175nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.22nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压 VDS = 100V
- 漏极电流 ID = 350A
- 在栅源电压 VGS = 10V 时，导通电阻 RDS(on) ＜ 1.5mΩ
- 低栅极电荷和导通电阻
- 快速开关速度
- 先进的分裂栅沟槽技术
应用领域
- PWM 应用
- 硬开关和高频电路
- 电源管理
- HK04N013SG
- HK8EN015SG
- HK8EN015SG-C
- HK10N015SG
- HK10N015SG-B
- ZX7-200T
- 14*20cm-1000
- BY-6009 3*m10*1.5
- ZD24C16A-MAGMT
- MLD-TYPE-C-3.1-16PIN-L7.35
- MLD-RJ45-H16
- MLD-SMA-KWE-L14.5
- MLD-SMA-KE-H13.5
- MLD-SMA-KE-H13.5-1.6
- MLD-SMA-KE-H13.5-1.2
- MLD-SMA-KWE11-L17
- MLD-SMA-KWE14-L20
- MLD-SMA-KWE13-L19
- MLD-SMA-KWE17-L23
- MLD-BNC50-L35
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