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HE10N082SG
HE10N082SG
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HE10N082SG
- 商品编号
- C52766428
- 商品封装
- TO-220CB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.312nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100 V
- 漏极电流(ID) = 110 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 8.2 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 10 mΩ
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻
- 先进的分裂栅沟槽技术
应用领域
-功率开关应用-电池管理-不间断电源