HE10N082SG_R+O(宏嘉诚)-实物图-PCB引脚图-焊盘图-立创商城一站式电子元器件采购自营商城

型号：HE10N082SG品牌：R+O(宏嘉诚)名称：N沟道MOSFET，采用先进分裂栅沟槽技术，具备快速开关、低栅极电荷和导通电阻的特点，适用于电源开关、电池管理和不间断电源应用

本页面提供R+O(宏嘉诚)的HE10N082SG产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。HE10N082SG参考售价为1.96元起，现货库存数量3655个

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准