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HB10N085SG实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

HB10N085SG

N沟道MOSFET，采用先进的分裂栅沟槽技术，具有快速开关、低栅极电荷和导通电阻的特点，适用于电源开关、电池管理和不间断电源应用

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品牌名称
R+O(宏嘉诚)
商品型号
HB10N085SG
商品编号
C52766429
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.486418克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))6.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)100W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)36nC@10V
输入电容(Ciss)2.031nF@50V
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 100 V
  • 漏极电流(ID) = 80 A
  • 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 8.5 mΩ
  • 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 12 mΩ
  • 快速开关
  • 低栅极电荷和导通电阻
  • 先进的分裂栅沟槽技术

应用领域

  • 功率开关应用
  • 电池管理
  • 不间断电源

数据手册PDF

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