HB10N085SG
HB10N085SG
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HB10N085SG
- 商品编号
- C52766429
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.486418克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.031nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100 V
- 漏极电流(ID) = 80 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 8.5 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 12 mΩ
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻
- 先进的分裂栅沟槽技术
应用领域
- 功率开关应用
- 电池管理
- 不间断电源
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