• HB10N085SG商品缩略图
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型号:HB10N085SG品牌:R+O(宏嘉诚)名称:N沟道MOSFET,采用先进的分裂栅沟槽技术,具有快速开关、低栅极电荷和导通电阻的特点,适用于电源开关、电池管理和不间断电源应用
HB10N085SG实物图
本页面提供R+O(宏嘉诚)的HB10N085SG产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。HB10N085SG参考售价为1.81元起,现货库存数量350个
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准