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场效应管(MOSFET)
HB10N085SG
商品大图
型号:HB10N085SG
品牌:R+O(宏嘉诚)
名称:N沟道MOSFET,采用先进的分裂栅沟槽技术,具有快速开关、低栅极电荷和导通电阻的特点,适用于电源开关、电池管理和不间断电源应用
引脚图
此图展示了型号为 HB10N085SG 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 HB10N085SG 的焊盘布局
本页面提供R+O(宏嘉诚)的HB10N085SG产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。HB10N085SG参考售价为1.81元起,现货库存数量350个
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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