RB751G-40T2R-HXY

RB751G-40T2R-HXY

描述

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.45V，有助于减少导通损耗；反向漏电流（IR）仅为0.5μA，展现出优异的反向阻断能力。器件的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于低功耗、高效率要求的信号整流、电源箝位及高频开关等电路场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RB751G-40T2R-HXY

商品编号

C52754614

商品封装

SOD-723​

包装方式

编带

商品毛重

0.0145克(g)