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RB751G-40T2R-HXY

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描述: 该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.45V，有助于减少导通损耗；反向漏电流（IR）仅为0.5μA，展现出优异的反向阻断能力。器件的正向浪涌电流（IFSM）为0.1A，适用于低功耗、高效率要求的信号整流、电源箝位及高频开关等电路场合。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: RB751G-40T2R-HXY
商品编号: C52754614
商品封装: SOD-723
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0145克(g)

商品参数