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BAS40-04-G3-08-HXY

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描述
该肖特基二极管采用串联式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）为1V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流（IR）仅为0.2μA，表现出优异的阻断性能。器件可承受的最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A，适用于对体积和效率敏感的小功率电子系统，如便携设备电源整流、信号检波及低功耗电路中的极性保护等场景。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
BAS40-04-G3-08-HXY
商品编号
C52754631
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0265克(g)

商品参数

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