BAS70-04-G3-08-HXY

BAS70-04-G3-08-HXY

描述

该肖特基二极管采用串联式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和70V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.25V，在工作状态下能效表现良好；反向漏电流（IR）低至2.5μA，有助于降低静态功耗。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对电压钳位、信号整流或电源极性保护有需求的电子电路中，尤其适合空间受限且需多级串联使用的场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BAS70-04-G3-08-HXY

商品编号

C52754635

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.027克(g)