MBR20H100CTG-E3/45-HXY

MBR20H100CTG-E3/45-HXY

描述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）为100V，正向压降（VF）典型值为0.85V，反向漏电流（IR）为20μA，最大正向浪涌电流（IFSM）可达200A。其共阴极结构便于在双路输出或桥式整流等电路中简化布局，较低的VF有助于减少导通损耗，较高的IFSM能力使其能够承受瞬时大电流冲击，适用于高效率电源转换、开关模式电源及各类需要高可靠整流功能的电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

MBR20H100CTG-E3/45-HXY

商品编号

C52754644

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.046939克(g)