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MBR20200CTF-G1-HXY

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描述: 该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具备20A的平均正向电流（IF）和200V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.2V，在导通时维持较低的功耗；反向漏电流（IR）在额定条件下不超过100μA，确保良好的关断特性。器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率、热性能及瞬态耐受能力有较高要求的整流与续流应用场景。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: MBR20200CTF-G1-HXY
商品编号: C52754673
商品封装: TO-220F
包装方式: 管装
商品毛重: 2.540816克(g)

商品参数