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MBR2545CTG-HXY

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描述: 该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有30A的平均正向电流（IF）和45V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.48V，有助于降低导通损耗，同时反向漏电流（IR）仅为40μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达280A的浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力要求较高的电源整流及高频开关电路场合。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: MBR2545CTG-HXY
商品编号: C52754695
商品封装: TO-220C
包装方式: 管装
商品毛重: 3.064克(g)

商品参数

参数完善中