VFT10200C-E3/4W-HXY

VFT10200C-E3/4W-HXY

描述

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，正向平均电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）为200V。其正向压降（VF）为1.2V，反向漏电流（IR）典型值为100μA，具备良好的导通与阻断特性。器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及多路电源管理等场景，满足对效率和稳定性的要求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

VFT10200C-E3/4W-HXY

商品编号

C52754685

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.534克(g)