MBR30H100CTG-HXY

MBR30H100CTG-HXY

描述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为30A，最大反向电压（VR）为100V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在高电流应用中可有效控制功耗；反向漏电流（IR）为100μA，体现出合理的反向阻断能力。器件具备250A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）耐受能力，适用于高频整流、大电流电源输出以及对热性能和效率有明确要求的电力电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

MBR30H100CTG-HXY

商品编号

C52754691

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.832克(g)