MBR10200CTF-G1-HXY

MBR10200CTF-G1-HXY

描述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向电压（VR）达200V。其正向压降（VF）典型值为1.2V，在25℃环境下的反向漏电流（IR）不超过100μA。器件具备优异的浪涌承受能力，最大正向浪涌电流（IFSM）可达120A。此类结构适用于需要双路整流或钳位功能的电源转换与高频开关电路中，兼顾效率与可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

MBR10200CTF-G1-HXY

商品编号

C52754684

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.524克(g)