V30M100M-E3/4W-HXY

V30M100M-E3/4W-HXY

描述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具备30A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.8V，在高电流工作时仍能维持较低的导通损耗；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达250A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出端以及需要双通道同步续流功能的电路结构中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

V30M100M-E3/4W-HXY

商品编号

C52754659

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.8克(g)