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MBR20150SCT-G1-HXY

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描述: 该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）为150V。其正向压降（VF）为0.92V，在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗；反向漏电流（IR）低至20μA，展现出良好的反向截止性能。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源及需要双路同步整流的电路拓扑中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: MBR20150SCT-G1-HXY
商品编号: C52754650
商品封装: TO-220C
包装方式: 管装
商品毛重: 3.108163克(g)

商品参数

参数完善中