SDT20B100CT-HXY

SDT20B100CT-HXY

描述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）为100V，正向压降（VF）为0.85V，反向漏电流（IR）为20μA，最大正向浪涌电流（IFSM）达200A。共阴极结构适用于需要双路整流或同步输出的电路拓扑，较低的VF有助于降低导通损耗，提升系统效率，而较高的IFSM能力可有效应对启动或瞬态过程中的电流冲击，适合用于高效率电源、适配器及各类对可靠性要求较高的电子设备中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SDT20B100CT-HXY

商品编号

C52754645

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.046克(g)