BAS70-06-G3-08-HXY

BAS70-06-G3-08-HXY

描述

该肖特基二极管采用1对共阳极配置，具有0.2A的正向电流（IF）和70V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.25V，在25℃环境下的反向漏电流（IR）典型值为2.5μA。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关电路。共阳极结构便于在双路信号处理或电源管理中实现紧凑布局，适合用于消费类电子及便携设备中的低压高频应用场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BAS70-06-G3-08-HXY

商品编号

C52754636

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.027克(g)