BAS40-05-E3-08-HXY

BAS40-05-E3-08-HXY

描述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有0.2A的正向平均电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）仅为0.2μA，展现出优异的导通效率与低漏电特性。器件可承受0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低压整流、信号检波及电源极性保护等电路，常见于便携式电子产品和小型电源模块中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BAS40-05-E3-08-HXY

商品编号

C52754634

商品封装

SOT-23-3​

包装方式

编带

商品毛重

0.027273克(g)