SBAS70-04LT1G-HXY

SBAS70-04LT1G-HXY

描述

该肖特基二极管采用串联式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和70V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.25V，在反向偏置条件下漏电流（IR）低至2.5μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的低压整流与信号处理场景，常见于便携式电子设备及电源管理模块中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SBAS70-04LT1G-HXY

商品编号

C52754623

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.027克(g)