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IGB50N65S5
650V 80A
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- 描述
- 特性：高速S5技术提供用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。 极低的VCEsat，额定电流下为1.35V。 可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。 低Qs。 最高结温175℃。应用：能源发电：太阳能串式逆变器、太阳能微型逆变器。 工业电源：工业开关电源、工业不间断电源
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGB50N65S5
- 商品编号
- C536059
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 270W | |
| 输出电容(Coes) | 50pF | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.8V@0.5mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 21ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 139ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.23mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 740uJ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 11pF |
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