BSF134N10NJ3 G

1个N沟道耐压:100V 电流:40A 电流:9A

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: BSF134N10NJ3 G
商品编号: C534449
商品封装: MG-DSON-2(3.8x4.8)mm
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	40A
	导通电阻(RDS(on))	13.4mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	43W
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V
	栅极电荷量(Qg)	23nC@10V

商品概述

OptiMOSTM 100V产品是一流的功率MOSFET,适用于实现高功率密度和高能效解决方案。在小尺寸封装中,超低的栅极电荷和输出电荷以及极低的导通电阻,使OptiMOSTM 100V成为太阳能、驱动器、数据通信和电信应用中电压调节器解决方案苛刻要求的最佳选择。超快开关控制FET与低电磁干扰同步FET相结合,提供易于设计的解决方案。OptiMOSTM产品采用高性能封装,可应对最具挑战性的应用,在优化空间、效率和成本方面提供充分的灵活性。

商品特性

针对高开关频率DC/DC转换器进行优化
极低的导通电阻RDS(on)
出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(品质因数FOM)
根据JEDEC1)标准针对目标应用进行了认证
卓越的热阻
无铅电镀;符合RoHS标准
根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
双面散热
与DirectFET®封装SJ的焊盘和外形兼容
低外形(<0.7mm)
低寄生电感

应用领域

同步整流
初级侧开关
高性能计算的电源管理
高功率密度负载点转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	2.3nF
	反向传输电容(Crss)	12pF
	工作温度	-40℃~+150℃
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	320pF
	栅极电压(Vgs)	±20V