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BSC220N20NSFD
1个N沟道 耐压:200V 电流:52A
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- 描述
- 特性：N-channel, normal level。 175℃ rated。 优秀的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61240-2-21 标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC220N20NSFD
- 商品编号
- C534425
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V,52A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.68nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- N沟道，常电平
- 额定温度175 °C
- 出色的栅极电荷 x RDS(on)乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤素
- 非常适合高频开关和同步整流