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BSC159N10LSF G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC159N10LSF G

耐压:100V 电流:63A

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描述
特性:N沟道,逻辑电平。 极低的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 低导通电阻RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准;无卤。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤
商品型号
BSC159N10LSF G
商品编号
C534420
商品封装
TDSON-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)63A
导通电阻(RDS(on))15.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)114W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.4V
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
输入电容(Ciss)2.5nF
反向传输电容(Crss)11pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • N沟道、逻辑电平
  • 极低的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
  • 低导通电阻RDS(on)
  • 工作温度达150°C
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准;无卤
  • 按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
  • 非常适合高频开关和同步整流
  • 符合IEC61249 - 2 - 21标准的无卤要求

数据手册PDF