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BSC159N10LSF G
耐压:100V 电流:63A
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- 描述
- 特性：N沟道，逻辑电平。 极低的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 低导通电阻RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅镀铅；符合RoHS标准；无卤。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC159N10LSF G
- 商品编号
- C534420
- 商品封装
- TDSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.9mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 114W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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