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BSC155N06ND
OptiMOs-T2功率晶体管，60V
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- 描述
- 特性：双N沟道，正常电平快速开关MOSFET。 工作温度175℃。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试。 针对驱动应用优化技术。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 卓越的热阻
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC155N06ND
- 商品编号
- C534419
- 商品封装
- TDSON-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 380pF |
商品特性
- 双N沟道、常电平快速开关MOSFET
- 工作温度达175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试
- 针对驱动应用优化的技术
- 符合IEC61249 - 2 - 21标准的无卤产品
- 出色的热阻性能